世界先进宣布0.35微米650 V氮化镓制程进入量产

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台湾《经济日报》11月22日消息，世界先进今日宣布，其领先的八英寸0.35微米650 V的新基底高电压氮化镓制程（GaN-on-QST）已于客户端完成首批产品系统及可靠性验证，正式进入量产，为特殊集成电路制造服务领域首家量产此技术的公司。