8月19日，据韩联社报道，三星电子副会长李在镕19日相继访问位于京畿道器兴和华城的半导体工厂，进行半导体事务盘点。 这是李在镕在光复节获得特赦重返经营一线后的第一个公开日程。
李在镕当天出席了在京畿道器兴园区举行的新一代半导体研发( RD )园区开工仪式。 他说，公司器兴半导体厂的破土工程历经40年，今天在这里再次开始了新的挑战。 没有研发方面的大胆投资就没有现在的三星半导体。 让我们继承“重视技术、先行投资”的传统，用前所未有的新技术创造未来。
据韩国《亚洲日报》报道，该园区是三星电子2014年后时隔8年在国内新设研发中心。 该研发园区总面积约10.9万平方米，主管NAND闪存、晶圆代工、系统新片等新技术的研发。 三星电子计划到2028年在该园区投资约20万亿韩元(约1030亿元)。 三星电子相关人士表示，如果建设具备尖端设备的研发中心，有望缩短新一代产品的研发时间，提高半导体质量。
